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　　摘要:通过对齿条型刀具加工圆柱齿轮原理分析,依据圆柱齿轮齿根过渡曲线形成机理,建立几何关系,并推导出齿

　　这样,在圆柱齿轮的轴剖面上,斜齿条齿顶过渡曲线为椭于是,可以得到过P点的椭圆弧法线与齿条工作节线的

　　摘要:针对TSV工艺中喷胶工艺因晶圆与光刻胶的膨胀系数不同而产生的应力分布不均的情况,对喷胶后光刻胶的

　　应力分布进行了分析,并采用有限元分析软件 ANSYS中的热应力分析单元对可实现同种工艺膜厚的三种不同配方喷

　　涂的效果进行模拟分析。三组分析数据对比发现,通过对喷胶工艺的参数控制,采取最忧的工艺参数,当光刻胶稀释比

　　例为1:12、光刻胶流量为2.2mL/min和喷嘴的移动速度为120mm/s时,取得的胶膜应力分布最为均匀。

　　随着C工艺的不断发展,叠层芯片封装逐渐成为技移动速度、基材的转动速率等因素决定

　　术发展的主流当波发生器每转。叠层芯片封装技术,简称3D封装指在不在非均匀晶圆表面进行光刻胶涂敷的过程中,光刻

　　改变封装体体积的前提下,在同一个封装体内在垂直方胶与晶圆之间会因为热膨胀系数的不同,在加热或冷却

　　向叠放多个芯片的封装技术。硅通孔技术(TSV)作为3D时彼此的膨胀或收缩程度不一致,而导致热应力的产生卡钳分切机。

　　封装重要的组成工艺,越来越受到人们的重视。硅通孔技这种热应力会在晶圆曝光工艺和显影工艺中逐渐释放,

　　术(TSV)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间做成从而影响工艺精度。由于喷胶工艺有众多优点,TSV工艺

　　垂直联接,从而使芯片之间联通的最新技术,图1是采用中采用大量喷胶工艺,来解决在不规则表面涂布光刻胶

　　佳通孔技术(TSVs)的堆叠器件。与以往的IC封装键合的问题,图2中是采用AZ4990光刻胶对9°的侧壁进行

　　和使用凸点的叠加技术不同,TSVエ艺能够在三维方向的光刻胶喷涂效果图2。本文结合工艺实际情况对采用

　　使得堆叠密度最大,而体积最小,大大改善了芯片速度和硅为衬底材料的光刻胶薄膜进行了有限元分析,得出在

　　的基材表面副密封、外形及斜面。难,因此采用有限元的方法进行模拟分析合页。将求解区域划

　　和标准光刻胶涂布方法相分成N个单元,确定加权函数,将温度场分别离散到对应